威尼斯手机版所有网站光伏离子注入机已开发出四代系列产品。 Ion Solar™, 第一代光伏离子注入设备（2011~2014）具有质量分析，采用金属托盘传送，能量5-15KeV, 均匀性2/ma 产能800-1500WPH。 iPV-2000第二代光伏离子注入设备（2014~2017)略去质量分析，采用皮带水平传送硅片，避免硅片在载盘传送中的摩擦损伤。采用固态磷代替磷烷，降低客户成本，能量5
宽幅离子源与光路系统 超高真空、颗粒污染最少化工艺腔体 各向同性精准注入扫描装置 自主知识产权保护
iPV3000 第三代光伏离子注入设备（2017-）维持皮带水平传送硅片和固态磷离子源改进的大束流离子源，束流提升40%增加图案化注入掺杂功能产能3000WPH。iSolar iPV3000特点:高产能、低成本高密度束流系统，束流密度>4.0mA/cm，实现设备产能3000WPH。采用固态磷作为掺杂源，掺杂成本0.3分/片(RMB)。兼容性强传送方式简单。无需修改任何硬件，完全兼容不同
iPV2000iPV2000 第二代光伏离子注入设备（2014-2017）略去质量分析，采用皮带水平传送硅片省去昂贵的磷烷，使用廉价的固态磷产能1500-1700WPH。iPV-2000特点:生产率高iPV-2000拥有连续送片功能，单机产能可达1500片/小时，使得一条生 产线只配备一台机器成为可能，完全实现与现有产线产能的良好匹配。占地面积小iPV-2000占地19m2, 包括自动化设备前端系
离子注入是通过对半导体材料表面进行某种元素的掺杂，从而改变其特性的工艺制程，在集成电路（IC）工业中得到广泛的应用。作为离子注入制程的装备—离子注入机，是先进IC生产线上最关键的工具之一，每年全球拥有15-20亿美金的市场规模。与热扩散的掺杂技术相比，离子注入技术具有以下特点：单面准直掺杂、良好的掺杂均匀性和可控性、掺杂元素的单一性，而且很容易实现掺杂区域的图形化。这些特点给晶硅太阳能电池片的制造
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